ជាវប្រព័ន្ធផ្សព្វផ្សាយសង្គមរបស់យើងសម្រាប់ការបង្ហោះភ្លាមៗ
ការណែនាំអំពីដំណើរការឡាស៊ែរក្នុងការផលិត
បច្ចេកវិទ្យាកែច្នៃឡាស៊ែរបានឆ្លងកាត់ការអភិវឌ្ឍន៍យ៉ាងឆាប់រហ័ស ហើយត្រូវបានប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយក្នុងវិស័យផ្សេងៗដូចជា លំហអាកាស យានយន្ត អេឡិចត្រូនិច និងអ្វីៗជាច្រើនទៀត។ វាដើរតួនាទីយ៉ាងសំខាន់ក្នុងការកែលម្អគុណភាពផលិតផល ផលិតភាពការងារ និងស្វ័យប្រវត្តិកម្ម ខណៈពេលដែលកាត់បន្ថយការបំពុល និងការប្រើប្រាស់សម្ភារៈ (Gong, 2012)។
ដំណើរការឡាស៊ែរនៅក្នុងសម្ភារៈលោហៈនិងមិនមែនលោហធាតុ
ការអនុវត្តចម្បងនៃដំណើរការឡាស៊ែរនៅក្នុងទសវត្សរ៍កន្លងមកគឺនៅក្នុងសម្ភារៈលោហៈ រួមទាំងការកាត់ ការផ្សារ និងការបិទភ្ជាប់។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ វិស័យនេះកំពុងពង្រីកខ្លួនទៅជាវត្ថុធាតុដើមដែលមិនមែនជាលោហធាតុដូចជា វាយនភ័ណ្ឌ កញ្ចក់ ប្លាស្ទិក ប៉ូលីម៊ែរ និងសេរ៉ាមិច។ សមា្ភារៈនីមួយៗទាំងនេះបើកឱកាសនៅក្នុងឧស្សាហកម្មផ្សេងៗ ទោះបីជាពួកគេបានបង្កើតបច្ចេកទេសកែច្នៃរួចហើយក៏ដោយ (Yumoto et al., 2017)។
បញ្ហាប្រឈម និងការច្នៃប្រឌិតក្នុងដំណើរការឡាស៊ែរនៃកញ្ចក់
កញ្ចក់ ជាមួយនឹងការប្រើប្រាស់យ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដូចជា រថយន្ត សំណង់ និងអេឡិចត្រូនិច តំណាងឱ្យផ្នែកសំខាន់មួយសម្រាប់ដំណើរការឡាស៊ែរ។ វិធីសាស្ត្រកាត់កញ្ចក់បែបប្រពៃណី ដែលពាក់ព័ន្ធនឹងលោហៈធាតុរឹង ឬឧបករណ៍ពេជ្រ ត្រូវបានកំណត់ដោយប្រសិទ្ធភាពទាប និងគែមរដុប។ ផ្ទុយទៅវិញ ការកាត់ឡាស៊ែរផ្តល់នូវជម្រើសដ៏មានប្រសិទ្ធភាព និងច្បាស់លាស់ជាង។ នេះជាភស្តុតាងជាពិសេសនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដូចជាការផលិតស្មាតហ្វូន ដែលការកាត់ឡាស៊ែរត្រូវបានប្រើសម្រាប់គម្របកញ្ចក់កាមេរ៉ា និងអេក្រង់អេក្រង់ធំ (Ding et al., 2019)។
ដំណើរការឡាស៊ែរនៃប្រភេទកញ្ចក់ដែលមានតម្លៃខ្ពស់។
ប្រភេទផ្សេងគ្នានៃកញ្ចក់ដូចជា កញ្ចក់អុបទិក កញ្ចក់រ៉ែថ្មខៀវ និងកញ្ចក់ត្បូងកណ្តៀង បង្ហាញពីបញ្ហាប្រឈមតែមួយគត់ដោយសារតែធម្មជាតិផុយរបស់វា។ ទោះជាយ៉ាងណាក៏ដោយ បច្ចេកទេសឡាស៊ែរកម្រិតខ្ពស់ដូចជាការឆ្លាក់ឡាស៊ែរ femtosecond បានបើកដំណើរការយ៉ាងជាក់លាក់នៃសម្ភារៈទាំងនេះ (Sun & Flores, 2010)។
ឥទ្ធិពលនៃរលកពន្លឺលើដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជាឡាស៊ែរ
រលកនៃឡាស៊ែរមានឥទ្ធិពលយ៉ាងសំខាន់លើដំណើរការ ជាពិសេសសម្រាប់វត្ថុធាតុដូចជាដែករចនាសម្ព័ន្ធ។ កាំរស្មីឡាស៊ែដែលបញ្ចេញនៅក្នុងកាំរស្មីអ៊ុលត្រាវីយូឡេ ដែលអាចមើលឃើញ តំបន់អ៊ីនហ្វ្រារ៉េដជិត និងឆ្ងាយត្រូវបានវិភាគសម្រាប់ដង់ស៊ីតេថាមពលដ៏សំខាន់របស់ពួកគេសម្រាប់ការរលាយ និងហួត (Lazov, Angelov, & Teirumnieks, 2019)។
កម្មវិធីចម្រុះដោយផ្អែកលើប្រវែងរលក
ជម្រើសនៃរលកឡាស៊ែរគឺមិនបំពានទេប៉ុន្តែពឹងផ្អែកយ៉ាងខ្លាំងទៅលើលក្ខណៈសម្បត្តិរបស់សម្ភារៈនិងលទ្ធផលដែលចង់បាន។ ជាឧទាហរណ៍ ឡាស៊ែរកាំរស្មីយូវី (មានរលកប្រវែងខ្លីជាង) គឺល្អសម្រាប់ការឆ្លាក់ច្បាស់លាស់ និងម៉ាស៊ីនមីក្រូ ព្រោះពួកគេអាចបង្កើតព័ត៌មានលម្អិត។ នេះធ្វើឱ្យពួកវាល្អសម្រាប់ឧស្សាហកម្ម semiconductor និង microelectronics ។ ផ្ទុយទៅវិញ ឡាស៊ែរអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដមានប្រសិទ្ធភាពជាងសម្រាប់ដំណើរការសម្ភារៈក្រាស់ជាងមុន ដោយសារសមត្ថភាពជ្រាបចូលកាន់តែជ្រៅ ដែលធ្វើឱ្យពួកវាស័ក្តិសមសម្រាប់កម្មវិធីឧស្សាហកម្មធុនធ្ងន់។ (Majumdar & Manna, 2013) ស្រដៀងគ្នានេះដែរ ឡាស៊ែរពណ៌បៃតង ដែលជាធម្មតាដំណើរការនៅរលកប្រវែង 532 nm ស្វែងរកទីផ្សារពិសេសរបស់ពួកគេនៅក្នុងកម្មវិធីដែលទាមទារភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ជាមួយនឹងផលប៉ះពាល់កម្ដៅតិចតួចបំផុត។ ពួកវាមានប្រសិទ្ធភាពជាពិសេសនៅក្នុងមីក្រូអេឡិចត្រូនិចសម្រាប់ការងារដូចជា ការធ្វើគំរូសៀគ្វី ក្នុងកម្មវិធីវេជ្ជសាស្រ្តសម្រាប់នីតិវិធីដូចជា photocoagulation និងក្នុងវិស័យថាមពលកកើតឡើងវិញសម្រាប់ការផលិតកោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ។ រលកពន្លឺតែមួយគត់របស់ឡាស៊ែរពណ៌បៃតងក៏ធ្វើឱ្យពួកវាស័ក្តិសមសម្រាប់ការសម្គាល់ និងឆ្លាក់វត្ថុចម្រុះ រួមទាំងផ្លាស្ទិច និងលោហធាតុ ដែលកម្រិតពណ៌ខ្ពស់ និងការខូចខាតលើផ្ទៃតិចតួចបំផុត។ ភាពប្រែប្រួលនៃឡាស៊ែរពណ៌បៃតងនេះ គូសបញ្ជាក់អំពីសារៈសំខាន់នៃការជ្រើសរើសប្រវែងរលកនៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាឡាស៊ែរ ដោយធានាបាននូវលទ្ធផលដ៏ល្អប្រសើរសម្រាប់សម្ភារៈ និងកម្មវិធីជាក់លាក់។
នេះ។ឡាស៊ែរពណ៌បៃតង 525nmគឺជាប្រភេទជាក់លាក់នៃបច្ចេកវិទ្យាឡាស៊ែរ ដែលកំណត់លក្ខណៈដោយការបំភាយពន្លឺពណ៌បៃតងរបស់វានៅចម្ងាយរលក 525 nanometers ។ ឡាស៊ែរពណ៌បៃតងនៅចម្ងាយរលកនេះ ស្វែងរកកម្មវិធីនៅក្នុង retinal photocoagulation ដែលថាមពលខ្ពស់ និងភាពជាក់លាក់របស់វាមានប្រយោជន៍។ ពួកវាក៏មានសក្តានុពលមានប្រយោជន៍ក្នុងដំណើរការសម្ភារៈ ជាពិសេសក្នុងវិស័យដែលទាមទារដំណើរការផលប៉ះពាល់កម្ដៅយ៉ាងជាក់លាក់ និងតិចតួចបំផុត។.ការអភិវឌ្ឍន៍នៃ diodes ឡាស៊ែរពណ៌បៃតងនៅលើស្រទាប់ខាងក្រោម g-plane GaN ឆ្ពោះទៅរកប្រវែងរលកវែងជាងនៅ 524-532 nm គឺជាការរីកចម្រើនគួរឱ្យកត់សម្គាល់នៅក្នុងបច្ចេកវិទ្យាឡាស៊ែរ។ ការអភិវឌ្ឍន៍នេះគឺមានសារៈសំខាន់សម្រាប់កម្មវិធីដែលទាមទារលក្ខណៈរលកជាក់លាក់
រលកបន្ត និងប្រភពឡាស៊ែរដែលបានចាក់សោ
រលកបន្ត (CW) និងប្រភពឡាស៊ែរ quasi-CW ដែលត្រូវបានចាក់សោនៅចម្ងាយរលកផ្សេងៗដូចជានៅជិតអ៊ីនហ្វ្រារ៉េដ (NIR) នៅ 1064 nm, ពណ៌បៃតងនៅ 532 nm និងអ៊ុលត្រាវីយូឡេ (UV) នៅ 355 nm ត្រូវបានចាត់ទុកថាសម្រាប់ការប្រើឡាស៊ែរ doping ជ្រើសរើស emitter កោសិកាពន្លឺព្រះអាទិត្យ។ ប្រវែងរលកផ្សេងៗគ្នាមានផលប៉ះពាល់ដល់ការសម្របខ្លួន និងប្រសិទ្ធភាពក្នុងការផលិត (Patel et al., 2011)។
Excimer Lasers សម្រាប់សម្ភារៈ Wide Band Gap
ឡាស៊ែរ Excimer ដែលដំណើរការនៅរលកកាំរស្មីយូវីគឺសមរម្យសម្រាប់ដំណើរការសម្ភារៈដែលមានគម្លាតធំទូលាយដូចជាកញ្ចក់ និងវត្ថុធាតុ polymer ពង្រឹងសរសៃកាបូន (CFRP) ដែលផ្តល់នូវភាពជាក់លាក់ខ្ពស់ និងផលប៉ះពាល់កម្ដៅតិចតួចបំផុត (Kobayashi et al., 2017) ។
Nd:YAG Lasers សម្រាប់កម្មវិធីឧស្សាហកម្ម
ឡាស៊ែរ Nd:YAG ជាមួយនឹងភាពប្រែប្រួលរបស់ពួកគេនៅក្នុងលក្ខខណ្ឌនៃការលៃតម្រូវរលក ត្រូវបានគេប្រើនៅក្នុងកម្មវិធីយ៉ាងទូលំទូលាយ។ សមត្ថភាពរបស់ពួកគេក្នុងប្រតិបត្តិការទាំង 1064 nm និង 532 nm អនុញ្ញាតឱ្យមានភាពបត់បែនក្នុងដំណើរការសម្ភារៈផ្សេងៗ។ ឧទាហរណ៍ រលកចម្ងាយ 1064 nm គឺល្អសម្រាប់ការឆ្លាក់ជ្រៅលើលោហធាតុ ខណៈពេលដែលរលកប្រវែង 532 nm ផ្តល់នូវការឆ្លាក់លើផ្ទៃដែលមានគុណភាពខ្ពស់លើផ្លាស្ទិច និងលោហធាតុស្រោប។(Moon et al., 1999)។
→ ផលិតផលដែលពាក់ព័ន្ធ៖CW Diode-pumped Solid-state Laser ជាមួយនឹងរលកចម្ងាយ 1064nm
ការផ្សារឡាស៊ែរជាតិសរសៃថាមពលខ្ពស់។
ឡាស៊ែរដែលមានប្រវែងរលកជិត 1000 nm ដែលមានគុណភាពធ្នឹមល្អ និងថាមពលខ្ពស់ ត្រូវបានប្រើក្នុងការផ្សារឡាស៊ែរ keyhole សម្រាប់លោហៈ។ ឡាស៊ែរទាំងនេះបញ្ចេញសារធាតុចំហាយ និងរលាយប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាព ផលិតផ្សារដែកដែលមានគុណភាពខ្ពស់ (Salminen, Piili, & Purtonen, 2010)។
ការរួមបញ្ចូលគ្នានៃដំណើរការឡាស៊ែរជាមួយបច្ចេកវិទ្យាផ្សេងទៀត។
ការរួមបញ្ចូលនៃដំណើរការឡាស៊ែរជាមួយនឹងបច្ចេកវិទ្យាផលិតកម្មផ្សេងទៀត ដូចជាការបិទភ្ជាប់ និងការកិន បាននាំឱ្យប្រព័ន្ធផលិតកម្មកាន់តែមានប្រសិទ្ធភាព និងចម្រុះ។ សមាហរណកម្មនេះមានអត្ថប្រយោជន៍ជាពិសេសនៅក្នុងឧស្សាហកម្មដូចជា ការផលិតឧបករណ៍ និងការស្លាប់ និងការជួសជុលម៉ាស៊ីន (Nowotny et al., 2010)។
ដំណើរការឡាស៊ែរនៅក្នុងវាលដែលកំពុងរីកចម្រើន
កម្មវិធីនៃបច្ចេកវិទ្យាឡាស៊ែរពង្រីកដល់វិស័យដែលកំពុងរីកចម្រើនដូចជា semiconductor ការបង្ហាញ និងឧស្សាហកម្មខ្សែភាពយន្តស្តើង ដោយផ្តល់នូវសមត្ថភាពថ្មី និងការកែលម្អលក្ខណៈសម្បត្តិសម្ភារៈ ភាពជាក់លាក់នៃផលិតផល និងការអនុវត្តឧបករណ៍ (Hwang et al., 2022)។
និន្នាការនាពេលអនាគតក្នុងដំណើរការឡាស៊ែរ
ការអភិវឌ្ឍន៍នាពេលអនាគតនៃបច្ចេកវិទ្យាកែច្នៃឡាស៊ែរគឺផ្តោតលើបច្ចេកទេសប្រឌិតថ្មី ការកែលម្អគុណភាពផលិតផល ការរួមបញ្ចូលផ្នែកវិស្វកម្មពហុសម្ភារៈ និងការបង្កើនអត្ថប្រយោជន៍សេដ្ឋកិច្ច និងនីតិវិធី។ នេះរួមបញ្ចូលទាំងការផលិតរចនាសម្ព័ន្ធយ៉ាងឆាប់រហ័សដោយឡាស៊ែរជាមួយនឹង porosity គ្រប់គ្រង ការផ្សារកូនកាត់ និងការកាត់ទម្រង់ឡាស៊ែរនៃសន្លឹកដែក (Kukreja et al., 2013) ។
បច្ចេកវិទ្យាកែច្នៃឡាស៊ែរ ជាមួយនឹងកម្មវិធីចម្រុះ និងការច្នៃប្រឌិតជាបន្តបន្ទាប់ កំពុងបង្កើតអនាគតនៃការផលិត និងដំណើរការសម្ភារៈ។ ភាពបត់បែននិងភាពជាក់លាក់របស់វាធ្វើឱ្យវាក្លាយជាឧបករណ៍ដែលមិនអាចខ្វះបាននៅក្នុងឧស្សាហកម្មផ្សេងៗដោយរុញច្រានព្រំដែននៃវិធីសាស្រ្តផលិតបែបប្រពៃណី។
Lazov, L., Angelov, N., & Teirumnieks, E. (2019) ។ វិធីសាស្រ្តសម្រាប់ការប៉ាន់ស្មានបឋមនៃដង់ស៊ីតេថាមពលដ៏សំខាន់នៅក្នុងដំណើរការបច្ចេកវិជ្ជាឡាស៊ែរ។បរិស្ថាន។ បច្ចេកវិទ្យា។ ធនធាន។ ដំណើរការនៃសន្និសីទវិទ្យាសាស្ត្រ និងការអនុវត្តអន្តរជាតិ. តំណភ្ជាប់
Patel, R., Wenham, S., Tjahjono, B., Hallam, B., Sugianto, A., & Bovatsek, J. (2011) ។ ការផលិតល្បឿនលឿននៃឡាស៊ែរ Doping Selective Emitter Cells ពន្លឺព្រះអាទិត្យដោយប្រើ 532nm Continuous Wave (CW) និង Modelocked Quasi-CW Laser Sources។តំណភ្ជាប់
Kobayashi, M., Kakizaki, K., Oizumi, H., Mimura, T., Fujimoto, J., & Mizoguchi, H. (2017) ។ ដំណើរការឡាស៊ែរថាមពលខ្ពស់ DUV សម្រាប់កញ្ចក់ និង CFRP ។តំណភ្ជាប់
Moon, H., Yi, J., Rhee, Y., Cha, B., Lee, J., & Kim, K.-S. (១៩៩៩)។ ប្រេកង់អ៊ីនត្រាក់ទ័រប្រកបដោយប្រសិទ្ធភាពកើនឡើងទ្វេដងពីឌីអេដឌីអេហ្វអេហ្វ ឌីអេហ្វអេហ្វ ឌីអេហ្វ អេនឌីៈយ៉ាជី ឡាស៊ែរ ដោយប្រើគ្រីស្តាល់ KTP ។តំណភ្ជាប់
Salminen, A., Piili, H., & Purtonen, T. (2010) ។ លក្ខណៈនៃការផ្សារឡាស៊ែរជាតិសរសៃថាមពលខ្ពស់។ដំណើរការនៃស្ថាប័នវិស្វករមេកានិក, ផ្នែក C: ទិនានុប្បវត្តិវិទ្យាសាស្ត្រវិស្វកម្មមេកានិក, 224, 1019-1029 ។តំណភ្ជាប់
Majumdar, J., & Manna, I. (2013) ។ ការណែនាំអំពីការផលិតសម្ភារៈជំនួយដោយឡាស៊ែរ។តំណភ្ជាប់
Gong, S. (2012) ។ ការស៊ើបអង្កេត និងការប្រើប្រាស់បច្ចេកវិទ្យាកែច្នៃឡាស៊ែរកម្រិតខ្ពស់។តំណភ្ជាប់
Yumoto, J., Torizuka, K., & Kuroda, R. (2017) ។ ការអភិវឌ្ឍនៃគ្រែសាកល្បងការផលិតឡាស៊ែរ និងមូលដ្ឋានទិន្នន័យសម្រាប់ដំណើរការឡាស៊ែរ-សម្ភារៈ។ការពិនិត្យឡើងវិញនៃវិស្វកម្មឡាស៊ែរ, 45, 565-570 ។តំណភ្ជាប់
Ding, Y., Xue, Y., Pang, J., Yang, L.-j., & Hong, M. (2019) ។ ភាពជឿនលឿននៃបច្ចេកវិទ្យាត្រួតពិនិត្យក្នុងកន្លែងសម្រាប់ដំណើរការឡាស៊ែរ។SCIENTIA SINICA Physica, Mechanica & Astronomica. តំណភ្ជាប់
Sun, H., & Flores, K. (2010) ។ ការវិភាគមីក្រូរចនាសម្ព័ន្ធនៃកញ្ចក់លោហៈ Zr-Based Bulk Metallic Glass ដែលដំណើរការដោយឡាស៊ែរ។ប្រតិបត្តិការលោហធាតុ និងសម្ភារ ក. តំណភ្ជាប់
Nowotny, S., Muenster, R., Scharek, S., & Beyer, E. (2010) ។ កោសិកាឡាស៊ែររួមបញ្ចូលគ្នាសម្រាប់ការបិទភ្ជាប់ឡាស៊ែរ និងការកិនបញ្ចូលគ្នា។ការដំឡើងស្វ័យប្រវត្តិកម្ម, ៣០(១), ៣៦–៣៨។តំណភ្ជាប់
Kukreja, LM, Kaul, R., Paul, C., Ganesh, P., & Rao, BT (2013)។ បច្ចេកទេសកែច្នៃសម្ភារៈឡាស៊ែរដែលកំពុងលេចចេញសម្រាប់កម្មវិធីឧស្សាហកម្មនាពេលអនាគត។តំណភ្ជាប់
Hwang, E., Choi, J., & Hong, S. (2022) ។ ដំណើរការម៉ាស៊ីនបូមធូលីដែលជួយដោយឡាស៊ែរសម្រាប់ការផលិតប្រកបដោយភាពជាក់លាក់ និងទិន្នផលខ្ពស់។ខ្នាតណាណូ. តំណភ្ជាប់
ពេលវេលាប្រកាស៖ ថ្ងៃទី ១៨-២៤ ខែមករា